在2025年IEEE國際電子器件大會（IEDM 2025）上，突破英特爾代工展示了針對AI時代係統級芯片設計的供電工實關鍵技術突破——下一代嵌入式去耦電容器，這一創新有望解決晶體管持續微縮過程中麵臨的瓶頸供電瓶頸，為AI和高性能芯片提供了更穩定、英特躍更高效的爾代電源解決方案。

電容材料創新

英特爾代工的現功研究人員展示了三種新型金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器材料，用於深溝槽結構：

（1）鐵電鉿鋯氧化物（HfZrO）：利用鐵電材料的率傳自發極化特性，在納米級尺度下實現高介電常數；

（2）二氧化鈦（TiO₂）：具有優異的跨代介電性能和熱穩定性；

（3）鈦酸鍶（SrTiO₃）：鈣鈦礦結構材料，在深溝槽中展現出卓越的際飛電容密度。

這些材料可通過原子層沉積（ALD）在深溝槽結構中實現均勻且可控的突破薄膜生長，從而顯著改善界麵質量，供電工實並提升器件可靠性。瓶頸

突破性性能指標

該技術實現了跨代際的飛躍，具體表現在：

（2）電容密度：達到60-98 fF/μm²，現功相比當前先進技術實現顯著提升；

（2）漏電性能：漏電水平比行業目標低1000倍，大幅降低靜態功耗；

（3）可靠性：不影響電容漂移和擊穿電壓等指標。

係統級優勢

這一技術突破將為AI芯片設計帶來多重優勢，包括電源完整性提升，有效抑製電源噪聲和電壓波動。在熱管理協同優化方麵，實現電熱協同優化，為高功率AI芯片提供更穩定的工作環境。它還有助於在有限芯片麵積內實現更高的電容密度，為功能模塊集成釋放更多空間，實現芯片麵積優化。

在下一代先進CMOS工藝中，一係列穩定、低漏電的MIM電容密度增強技術具有相當的應用潛力。英特爾代工將致力於持續創新，為AI時代的高性能計算芯片提供關鍵的電源管理解決方案。

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